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集电极电流会逐渐集中在集电极PN结的一个狭小区域内 更新时间：2014-12-17 |
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关键词：
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电力晶体管具有一个重要的特性，即所谓的二次击穿效应。这和所谓的一次击穿效应，即PN结的雪崩击穿效应相对应。当集电极电流由基极驱动电流导通过，它会聚集在基极。
发射极刚结的附近，从而把集电极电流限制在反向偏置 的集电极PN结上的一个狭窄的区域内。这就会形成一个热点，从而导致PN结 的热击穿，也就是所谓的二次击穿。由于PN结压降的负温度系数，热点处结温 的升高进一步加剧了电流的集中，而这个反馈效应导致集电极电压崩溃，从而毁 坏了器件祀。在去掉感性负载的时候也有相似的问题。随着基极和发射极的PN 结变为反向偏置，集电极电流会逐渐集中在集电极PN结的一个狭小区域 内。
它的结构和MOSFEI、基本相似，不同之处是它在MOSFET集电极的N*耗尽 层L增加了一个P’层。该器件具有ILTXAM的高输人阻抗，但又有类似BUT的 导通特性，如果栅极对射极的电压为正，那么在P区就会产生一个N沟道。它 使PNP晶体管的基极一发射极PN结正向偏置，导致晶体管导通并引起N一区电导 率的改变，从而得到远低于MOSFET的导通压降。
在导通时，IGBT等效电路中的驱动承载着总输出电流中的大部分。 通过充分降低P+层的电阻率和把大部分电流转移到MOSFET中，可以防止寄生 NPN晶体管引起的类似晶闸管擎住作用。该器件的关断是通过把栅极电压降低到 零或负，从而关闭P区的导电沟道来实现的。该器件比BJT或MOSFET具有更高 的电流密度。其输入电容远远小于MOSFET。同样，栅极一集电极电容和 栅极一发射极电容之比也较低，从而使得Miller效应有所改善。 |
| 上一个:进入同步状态以后，定子的旋转磁场拉住转子的磁极旋转。 |
| 下一个:永磁式电动机靠设置在转子内部的永久磁铁建立全部磁 |
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